有源器件
金刚石基
金刚石基有源器件是将功率芯片直接集成在金刚石基底上的新一代功率器件，利用金刚石超高热导率实现芯片结温的极致控制。
通过MPCVD、HPHT等工艺制备高质量金刚石基底，采用先进封装技术将SiC/GaN芯片与金刚石基底键合，实现热量的快速导出。
产品特点
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超高热导率
> 1000 W/(m·K)
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高温工作能力
> 200°C
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开关特征
高频
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超高功率密度
＞500 W/cm²
核心参数
性能指标 | 区域参考值 | 对比参考 |
禁带宽度 | 5.47 eV | Si: 1.12 eV, SiC: 3.3 eV, GaN: 3.4 eV |
热导率 | 2000–2400 W/(m·K) | Si: 150, SiC: 490, Cu: 401 W/(m·K) |
电子迁移率 | 4500 cm²/(V·s) | Si: 1400, SiC: 900, GaN: 1000 cm²/(V·s) |
击穿场强 | >10 MV/cm | Si: 0.3, SiC: 2.2, GaN: 3.3 MV/cm |
电阻率 | 10¹⁶ Ω·cm（本征） | 极高绝缘性 |
理论耐温 | >500℃ | Si: 150℃, SiC: 600℃ |
击穿电压 | 10 kV | 理论可达数十kV |
